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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司
摘要：本发明公开一种SSD中处理NANDFlash读干扰的方法，本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间，用来保存每个块的读次数，当SSD在读取NANDFlash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1，在当前页读取操作结束时以一定概率检查当前块的读次数，如果读次数达到设定阈值时，将读取到的数据从ReadBuffer拷贝到WriteBuffer，并修改映射表，最终将数据写到NANDFlash的新地址，如果读次数达到需要处理的最大值，则将该块中剩余的有效数据全部搬走。本方法对数据搬移操作做平滑处理，避免某一时刻集中触发整个块数据搬移，既能消除读干扰对数据的影响，也能保证SSD的整体性能不会产生大的波动。
主权项：1.一种SSD中处理NANDFlash读干扰的方法，其特征在于：本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间，用来保存每个块的读次数，当SSD在读取NANDFlash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1，在当前页读取操作结束时以一定概率Pcheck检查当前块的读次数，如果读次数达到设定阈值RDCthr时，将读取到的数据从ReadBuffer拷贝到WriteBuffer，并修改映射表，最终将数据写到NANDFlash的新地址，如果读次数达到需要处理的最大值RDCmax，则将该块中剩余的有效数据全部搬走；通过下述公式确认Pcheck、RDCthr： ，FCB为Flash中每个块包含的DataFrame个数，是常数，取值范围为（0,99%）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法
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