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申请/专利权人:东莞记忆存储科技有限公司
摘要:本发明实施例公开了一种NAND走线分段阻抗结构,包括:SOC芯片、NAND颗粒以及连接于SOC芯片与NAND颗粒之间的NAND总线,所述NAND颗粒包括有多个die,所述NAND总线包括第一段走线和第二段走线,所述第一段走线分别连接于所述SOC芯片和所述第二段走线,所述第二段走线分别连接于所述第一段走线和所述NAND颗粒,所述第一段走线的阻抗大于所述第二段走线的阻抗。本发明的NAND走线分段阻抗结构,通过将第一段走线阻抗设计为大于第二段走线,使得读方向的余量增大,写方向的余量减少,使读写性能更为均衡,降低因读写性能差异导致的系统瓶颈,提高用户体验和满意度,并且有助于在信号进入NAND总线前进行阻抗匹配,减少信号反射和衰减,从而提高信号完整性。
主权项:1.一种NAND走线分段阻抗结构,其特征在于,包括:SOC芯片、NAND颗粒以及连接于SOC芯片与NAND颗粒之间的NAND总线,所述NAND颗粒包括有多个die,所述NAND总线包括第一段走线和第二段走线,所述第一段走线分别连接于所述SOC芯片和所述第二段走线,所述第二段走线分别连接于所述第一段走线和所述NAND颗粒,所述第一段走线的阻抗大于所述第二段走线的阻抗。
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百度查询: 东莞记忆存储科技有限公司 一种NAND走线分段阻抗结构
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