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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司
摘要：本发明涉及数据传输检测领域，针对NANDflash数据传输中会产生错误的问题，提出了一种可以排除NANDflash自身存储产生错误的测试方法，即首先遍历设定范围内的DQSdelay值，并利用NANDflash的寄存器读写操作比较写入与读出的数据，将差异值进行记录，最后通过对差异值的检查结果判定，实现验证NANDflash数据通路是否会产生错误的测试方法。
主权项：1.一种验证NAND数据通路正确性的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：a调整NANDFlash数据采样的延时；b设定测试数据pattern，选取被测通路上的NANDflashtarget，发送寄存器写命令，写入测试数据pattern数据；c选取被测通路上的NANDflashtarget，发送寄存器读命令，记录读取的数据，由NANDFlash寄存器比较写入和读出的数据；d记录读写数据的差异值并进行结果判定；所述调整NANDFlash数据采样的延时还包括步骤：选取DQSdelay值的遍历范围，并设定初始DQSdelay值，NANDFlash寄存器比较写入和读出的数据；判断是否完成选取DQSdelay值范围的遍历，如未完成则继续执行步骤a-c，记录每次的数据差异值，直到遍历完成，对数据差异值的变化曲线进行判定；判定测试不通过的依据为有错误或包含不符合测试需求的值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种验证NAND数据通路正确性的测试方法
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