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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明的基片处理装置除去形成于基片的上表面的膜的周缘部。基片处理装置包括：基片旋转部，其水平地保持上述基片并使其旋转；第一喷嘴，其从被保持在上述基片旋转部的上述基片的上方向上述基片供给阻碍上述膜的除去的第一处理液；第二喷嘴，其从被保持在上述基片旋转部的上述基片的下方向上述基片供给除去上述膜的第二处理液；和控制部，其控制上述基片的旋转、上述第一处理液的供给和上述第二处理液的供给。上述控制部进行如下控制：在利用上述基片旋转部使上述基片以第一转速旋转的状态下，利用上述第一喷嘴供给上述第一处理液，并且利用上述第二喷嘴供给上述第二处理液，由此除去上述膜的周缘部。
主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于：所述基片处理装置除去形成于基片的上表面的膜的周缘部，包括：基片旋转部，其水平地保持所述基片并使其旋转；第一喷嘴，其从被保持在所述基片旋转部的所述基片的上方向所述基片供给阻碍所述膜的除去的第一处理液；第二喷嘴，其从被保持在所述基片旋转部的所述基片的下方向所述基片供给除去所述膜的第二处理液；和控制部，其控制所述基片的旋转、所述第一处理液的供给和所述第二处理液的供给，所述控制部进行如下控制：在利用所述基片旋转部使所述基片以第一转速旋转的状态下，利用所述第一喷嘴供给所述第一处理液，并且利用所述第二喷嘴供给所述第二处理液，由此除去所述膜的周缘部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
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