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申请/专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
摘要：本申请涉及一种背接触太阳能电池，通过优化结构设计提高光电转换效率并降低生产成本，包括硅基基底，在硅基基底的背面交替间隔排列第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域，其间形成V型沟槽，V型沟槽侧边制绒的尺寸从底部向外逐渐减小，不仅增强光在太阳能电池内部的传播路径和陷光效果，还能直接利用该结构进行设备的光学对位。V型沟槽内填充有多层有机材料层，其折射率从硅基基底向外依次减小，有效减少光的反射和折射损失，提高光的吸收率。此外，本申请采用以激光为主的制造方式，通过调整激光能量实现不同的工艺作用，简化了制备流程，降低了设备投入和生产成本。该背接触太阳能电池结构设计合理，制备方法简便，具有高效、低成本的优势。
主权项：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括硅基基底，在所述硅基基底的背面包括第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域，所述第一掺杂类型区域和所述第二掺杂类型区域交替间隔排列，第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域由激光照射不同掺杂类型涂覆浆料形成；所述第一掺杂类型区域高于第二掺杂类型区域，第一掺杂类型区域和第二掺杂类型区域之间包括V型沟槽，所述V型沟槽采用激光刻蚀方式形成；所述V型沟槽内填充有多层有机材料层，多层有机材料层的折射率从硅基基底向外依次减小；所述V型沟槽的至少一个侧边制绒的尺寸从底部向外逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州腾晖光伏技术有限公司 背接触太阳能电池及其制备方法
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