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一种具有G极静电屏蔽功能的MOS管封装结构 

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申请/专利权人:南京江智科技有限公司

摘要:本实用新型公开了一种具有G极静电屏蔽功能的MOS管封装结构,包括:封装块、芯片主体、G极引脚和铁块,所述封装块的内部安装有芯片主体,所述芯片主体的外侧安装有G极引脚。该具有G极静电屏蔽功能的MOS管封装结构,封装块移动时,可以带动G极引脚与铁块进行移动,当封装块端部移动到第一盒体内部时,铁块可以与磁吸块进行磁性相吸,当第二盒体端部与第一盒体端部对接时,插接块可以带动三角形限位块插接到连接块内部,耐高温橡胶块可以通过自身弹性进行复位,使得铝合金散热板可以安装在封装块外侧,通过铝合金散热板与铝合金导热杆,可以提高芯片主体的散热速度与散热效果,使得芯片主体运行可以更加稳定。

主权项:1.一种具有G极静电屏蔽功能的MOS管封装结构,包括:封装块(1)、芯片主体(2)、G极引脚(3)和铁块(4),其特征在于:所述封装块(1)的内部安装有芯片主体(2),所述芯片主体(2)的外侧安装有G极引脚(3);铁块(4),安装在所述封装块(1)的两侧,所述封装块(1)的外侧设置有第一盒体(5),所述第一盒体(5)靠近铁块(4)的内壁安装有磁吸块(6),所述第一盒体(5)的外侧安装有连接块(7),所述第一盒体(5)的端部设置有第二盒体(8),所述第二盒体(8)的两侧安装有插接块(9),所述插接块(9)的外侧安装有三角形限位块(10)。

全文数据:

权利要求:

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