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一种基于轮廓算术平均二次偏差的表面粗糙度表征方法 

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申请/专利权人:安徽工业大学;国网安徽省电力有限公司马鞍山供电公司

摘要:本发明公开了一种基于轮廓算术平均二次偏差的表面粗糙度表征方法,属于表面粗糙度表征技术领域,包括以下步骤:S1:轮廓离散点取样;S2:轮廓离散点坐标计算;S3:计算表征参数;S4:表征表面粗糙度。本发明中的轮廓算术平均二次偏差Rd可以反映轮廓高低的起伏幅度,进一步完善了固体材料表面粗糙度的表征参数;轮廓算术平均二次偏差Rd作为表征固体材料表面粗糙度的重要补充,可以更加充分地反映表面粗糙度对材料电气绝缘性能的影响,进而促进固体材料提升绝缘性能的研究。

主权项:1.一种基于轮廓算术平均二次偏差的表面粗糙度表征方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:轮廓离散点取样在固体材料表面沿x轴正方向对轮廓信息进行取样,取样精度为dx,取样长度为l,取样完成后得到多个离散点构成的固体材料表面轮廓数据;S2:轮廓离散点坐标计算根据步骤S1中取样到的离散点数据计算出轮廓中线,任意x位置对应的轮廓表面到轮廓中线的垂直距离即为该点的高度y,从而得到轮廓表面各个离散点的坐标;S3:计算表征参数计算轮廓算术平均偏差Ra,并计算轮廓算术平均二次偏差Rd;S4:表征表面粗糙度利用步骤S3中的轮廓算术平均偏差Ra、轮廓算术平均二次偏差Rd共同表征固体材料的表面粗糙度。

全文数据:

权利要求:

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