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申请/专利权人：桂林电子科技大学
摘要：本发明属于集成电路测试领域，具体涉及基于岭回归的单片层间通孔开路故障定位方法。以MIV中心导体出现的开路故障为研究对象建立故障模型，基于所建故障模型，提取MIV不同位置发生开路故障的S参数；以MIV开路故障位置高度为预测依据，设置标签；建立岭回归预测模型，基于内置交叉验证寻找最佳参数；实现通过不同位置开路故障的S参数，利用岭回归预测模型对其进行回归预测处理，预测发生开路故障的位置，提高了MIV故障检测准确率和效率。该故障位置定位方法避免了在开路故障位置定位过程中对MIV的二次损坏，解决了传统的MIV检测方法难以对MIV开路故障位置进行准确故障定位的问题，对于优化MIV的设计和制造过程中改进MIV故障具有一定的参考价值。
主权项：1.本发明的目的在于提供一种基于岭回归的单片层间通孔开路故障定位方法，包括：建立MIV开路故障模型，提取MIV不同位置开路故障的S参数，通过采用岭回归机器学习方法，训练MIV模型中不同位置发生开路故障的S参数，通过不同位置开路故障S参数，利用岭回归模型对其进行回归处理，预测发生开路故障的位置，提高了MIV故障位置定位准确率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桂林电子科技大学 基于岭回归的单片层间通孔开路故障定位方法
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