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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：一种用于估计MOSMIS功率半导体模块的温度的测量方法包括：‑在参考状态下，a.向栅极注入正电流Ig,ref，栅极‑发射极源极的初始电压V0,ref高于平带电压Vfb，b.测量电流源两端的电压Vig,reft，c.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,ref，‑在操作状态下，d.从向栅极注入正电流Ig,op，栅极‑发射极源极的初始电压V0,op高于平带电压Vfb，e.测量电流源两端的电压Vig,opt，f.当电压变得低于平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,op，‑然后，g.比较所测量的电压Vig,reft和Vig,opt，h.从所述比较推算横跨MOSMIS功率半导体模块的温度分布Tj,dev。
主权项：1.一种用于估计功率半导体模块的温度的测量方法，所述功率半导体模块包括单个金属氧化物半导体、单个金属绝缘体半导体或者并联连接的一组金属氧化物半导体或金属绝缘体半导体，所述测量方法包括以下步骤：-至少一个第一系列操作，在此期间，所述功率半导体模块处于参考状态，所述至少一个第一系列操作包括：a.从所述功率半导体模块的发射极源极向栅极注入正电流Ig,ref，所述功率半导体模块的栅极-发射极源极的初始电压V0,ref高于平带电压Vfb，b.测量电流源两端的电压Vig,reft，c.当所述功率半导体模块的电压变得低于所述平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,ref，-至少一个第二系列操作，在此期间，所述功率半导体模块处于操作状态，所述至少一个第二系列操作包括：d.从所述功率半导体模块的发射极源极向栅极注入正电流Ig,op，所述功率半导体模块的栅极-发射极源极的初始电压V0,op高于平带电压Vfb，e.测量所述电流源两端的电压Vig,opt，f.当所述功率半导体模块的电压变得低于所述平带电压Vfb时，停止电流注入Ig,op，然后，-至少一个第三系列操作，所述至少一个第三系列操作包括：g.对分别在一个所述第一系列操作和一个所述第二系列操作期间测量的电压Vig,reft和Vig,opt进行比较，h.从所述比较推算横跨所述功率半导体模块的温度分布Tj,dev。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 用于估计功率半导体模块的温度的测量方法
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