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申请/专利权人：吉林大学
摘要：本发明公开了一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法，属于太赫兹片上有源器件技术领域，所述单刀双掷开关包括三波导耦合结构、三波导分束结构、输入端口、输出端口及自支撑硅框架；所述三波导耦合结构与三波导分束结构连接，输入端口与输出端口分别与三波导耦合结构和三波导分束结构相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架为中空结构，自支撑硅框架的非中空结构与输入端口和输出端口上下相接并包围三波导耦合结构和三波导分束结构，从而实现器件的无衬底自支撑。该单刀双掷开关的三条硅基太赫兹波导通过等效介质连接全硅框架从而实现器件的无衬底自支撑，通过外部激光泵浦诱导高阻硅材料，产生光电流从而发生非厄米效应，进而实现输出端口的切换以及相应非输出端口的隔离。
主权项：1.一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关，其特征在于，所述单刀双掷开关整体为一片式结构，包括三波导耦合结构1、三波导分束结构2、输入端口3、输出端口4及自支撑硅框架5；所述三波导耦合结构1与三波导分束结构2连接，输入端口3与输出端口4分别与三波导耦合结构1和三波导分束结构2相接，用以接收和传出太赫兹信号；所述自支撑硅框架5为中空结构，自支撑硅框架5的非中空结构与输入端口3和输出端口4上下相接并包围三波导耦合结构1和三波导分束结构2，从而实现器件的无衬底自支撑。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉林大学 一种太赫兹全硅自支撑宽带光控单刀双掷开关及其控制方法
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