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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所

摘要：本发明公开了一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由四个NMOS晶体管、四个片上电阻器、三个片上电感器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路采用一个NMOS晶体管和两个片上电感组成的单串联结构，RX支路采用三个NMOS晶体管和一个片上电感组成的串联‑并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端，实现高集成度、高性能的收发切换。

主权项：1.一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第四NMOS晶体管M1、M2、M3、M4，第一～第四片上电阻器R1、R2、R3、R4，第一～第三片上电感器L1、L2、L3，射频信号接收端口RX，射频信号发射端口TX，天线端口ANT，第一、第二控制端口，以及接地端口GND；所述的第一NMOS晶体管M1与第一片上电阻器R1，第一、第二片上电感器L1、L2，第一控制端口，以及射频信号发射端口TX一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口TX与第一NMOS晶体管M1的源极相连，第一片上电感器L1的两端并联跨接在第一NMOS晶体管M1的源极和漏极上，第一NMOS晶体管M1的栅极连接到第一片上电阻器R1的一端，第一片上电阻器R1的另一端连接到第一控制端口上，第一NMOS晶体管M1的漏极与第二片上电感器L2的一端相连，第二片上电感器L2的另一端连接到天线端口ANT上；所述的第二～第四NMOS晶体管M2、M3、M4与第二～第四片上电阻器R2、R3、R4，第三片上电感器L3，第一、第二控制端口，射频信号接收端口RX，以及接地端口GND一起组成RX支路；其中，第二NMOS晶体管M2的漏极连接到天线端口ANT上，第二NMOS晶体管M2的栅极与第二片上电阻器R2的一端相连，第二片上电阻器R2的另一端连接到第二控制端口上，第二NMOS晶体管M2的源极与第三NMOS晶体管M3的漏极相连，第三NMOS晶体管M3的栅极与第三片上电阻器R3的一端相连，第三片上电阻器R3的另一端连接到第二控制端口上，第三NMOS晶体管M3的源极连接到射频信号接收端口RX，第四NMOS晶体管M4的漏极也连接到射频信号接收端口RX，第四NMOS晶体管M4的源极连接到接地端口GND，第四NMOS晶体管M4的栅极与第四片上电阻器R4的一端相连，第四片上电阻器R4的另一端连接到第一控制端口，第三片上电感器L3连接在射频信号接收端口RX与接地端口GND之间；所述第一控制端口为正，第二控制端口为负；TX支路使能、RX支路关闭时，第一控制端口电压为1.2V，第二控制端口电压为0V；TX支路关闭、RX支路使能时，第一控制端口电压为0V，第二控制端口电压为1.2V。

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