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申请/专利权人：成都玖锦科技有限公司
摘要：本实用新型涉及射频开关领域，具体涉及一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，降低了宽带吸收式单刀双掷射频开关的插入损耗。本实用新型提供一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，输入端口RF1分别与第一晶体管Mos1的源极、第二晶体管Mos2的源极以及电感L的一端连接，电感L的另一端通过电阻R接地，第一晶体管Mos1的漏极分别与第一输出端口RF2以及第三晶体管Mos3的源极连接，第三晶体管Mos3的漏极通过电阻R接地，第二晶体管Mos2的漏极分别与第二输出端口RF3以及第四晶体管Mos4的源极连接，第四晶体管Mos4的漏极通过电阻R接地，第一晶体管Mos1、第二晶体管Mos2、第三晶体管Mos3以及第四晶体管Mos4的栅极分别与控制端连接。本实用新型适用于低插入损耗的宽带吸收。
主权项：1.一种宽带吸收式单刀双掷射频开关，其特征在于，包括输入端口RF1、第一输出端口RF2、第二输出端口RF3、第一晶体管Mos1、第二晶体管Mos2、第三晶体管Mos3、第四晶体管Mos4、电感L以及电阻R，输入端口RF1分别与第一晶体管Mos1的源极、第二晶体管Mos2的源极以及电感L的一端连接，电感L的另一端通过电阻R接地，第一晶体管Mos1的漏极分别与第一输出端口RF2以及第三晶体管Mos3的源极连接，第三晶体管Mos3的漏极通过电阻R接地，第二晶体管Mos2的漏极分别与第二输出端口RF3以及第四晶体管Mos4的源极连接，第四晶体管Mos4的漏极通过电阻R接地，第一晶体管Mos1、第二晶体管Mos2、第三晶体管Mos3以及第四晶体管Mos4的栅极分别与控制端连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都玖锦科技有限公司 一种宽带吸收式单刀双掷射频开关
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