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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所

摘要：本发明公开了一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由三个NMOS晶体管、三个片上电阻器、三个片上电感器、一个片上电容器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路由两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构，RX支路由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成单晶体管并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端实现高集成度、高性能的收发切换。

主权项：1.一种CMOS毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第三NMOS晶体管M1、M2、M3，第一～第三片上电阻器R1、R2、R3，第一～第三片上电感器L1、L2、L3，片上电容器C，射频信号接收端口RX，射频信号发射端口TX，天线端口ANT，第一、第二控制端口，以及接地端口GND；所述的第一片上电感器L1、片上电容器C、天线端口ANT以及接地端口GND一起组成ANT支路；其中，第一片上电感器L1的一端与片上电容器C的一端连接，第一片上电感器L1的另一端连接到天线端口ANT，片上电容器C的另一端连接到接地端口GND；所述的第一、第二NMOS晶体管M1、M2与第一、第二片上电阻器R1、R2，第二片上电感器L2，第一控制端口，射频信号发射端口TX，以及接地端口GND一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口TX与第一NMOS晶体管M1的漏极相连，第一NMOS晶体管M1的源极与第二NMOS晶体管M2的漏极相连，第二NMOS晶体管M2的源极与接地端口GND连接，第一NMOS晶体管M1的栅极连接到第一片上电阻器R1的一端，第二NMOS晶体管M2的栅极连接到第二片上电阻器R2的一端，第一、第二片上电阻器R1、R2的另一端均连接到第一控制端口，第二片上电感器L2跨接在射频信号发射端口TX以及第一片上电感器L1与片上电容器C的连接点之间；所述的第三NMOS晶体管M3与第三片上电阻器R3、第三片上电感器L3、第二控制端口、射频信号接收端口RX以及接地端口GND一起组成RX支路；其中，第三NMOS晶体管M3的漏极连接到射频信号接收端口RX，第三NMOS晶体管M3的栅极与第三片上电阻器R3的一端相连，第三片上电阻器R3的另一端连接到第二控制端口，第三NMOS晶体管M3的源极与接地端口GND连接，第三片上电感器L3跨接在射频信号接收端口RX以及第一片上电感器L1与片上电容器C的连接点之间；所述第一控制端口为正，第二控制端口为负；TX支路使能、RX支路关闭时，第一控制端口电压为1.3V，第二控制端口电压为0V；TX支路关闭、RX支路使能时，第一控制端口电压为0V，第二控制端口电压为1.3V。

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