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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
摘要：实施方式涉及的接合体的特征在于：其具备陶瓷基板、铜板、和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层，所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素，所述接合层包含Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比MTiME1为0.5以上的富Ti区和所述比MTiME1为0.1以下的贫Ti区。
主权项：1.一种接合体，其特征在于，其具备：陶瓷基板，铜板，和配置在所述陶瓷基板的至少一面上的用于接合所述陶瓷基板和所述铜板的接合层；所述接合层含有Cu、Ti和选自Sn及In中的1种或两种的第1元素；所述接合层包含形成在所述陶瓷基板的表面的Ti凝聚层、Ti的质量MTi相对于所述第1元素的质量ME1之比MTiME1为0.5以上且1.2以下的富Ti区和所述比MTiME1为0.1以下的贫Ti区；在所述接合层中的20μm×10μm中，存在所述富Ti区和所述贫Ti区这两者，所述富Ti区和所述贫Ti区位于所述Ti凝聚层和所述铜板之间，在所述富Ti区中，Cu的质量MCu相对于质量ME1之比MCuME1为0.05以上且0.4以下，在所述贫Ti区中，Cu的质量MCu相对于质量ME1之比MCuME1为3以上且10以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝高新材料公司 接合体、电路基板、半导体装置及接合体的制造方法
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