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申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
摘要：本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
主权项：1.一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件，其特征在于，包括SOI平台，SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，每层沟槽线组的各个沟槽线内填充有二氧化硅，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层的各个沟槽线的几何参数不同，通过设置不同几何参数的沟槽线改变穿过聚焦层的光波的传输相位，以将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使复用光波中不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 北京信息科技大学 基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法
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