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申请/专利权人:隔空微电子(深圳)有限公司
摘要:本发明提供一种毫米波衰减结构及毫米波芯片测试方法,在叠置的地金属层及中间介质层上形成具有第一微带金属线及第二微带金属线的微带顶金属层,且第二微带金属线对应的特征阻抗小于第一微带金属线对应的特征阻抗,使得第一微带金属线间可进行耦合传输,构成具有1个信号输入端口、1个信号输出端口及2个辅助信号输出端口的毫米波衰减结构,可获得可观的信号衰减量,且成本低、便于与毫米波芯片互连;通过与2个辅助信号输出端口连接的负载、第二微带金属线或监测电路,可便捷的对毫米波芯片进行测试或监测。
主权项:1.一种毫米波衰减结构,其特征在于,适用于30GHz~300GHz的毫米波频段;所述毫米波衰减结构包括自下而上叠置的地金属层、中间介质层及微带顶金属层,其中所述微带顶金属层包括:平行且对称设置的2条第一微带金属线,且2条所述第一微带金属线耦合传输;4条第二微带金属线,所述第二微带金属线对应的特征阻抗小于所述第一微带金属线对应的特征阻抗,4条所述第二微带金属线分别与所述第一微带金属线连接构成端口1、端口2、端口3及端口4,其中,所述端口1与所述端口2连接于同一所述第一微带金属线、所述端口3与所述端口4连接于另一所述第一微带金属线,且所述端口1与所述端口4的连线与所述端口2与所述端口3的连线交叉,所述端口1作为信号输入端口,所述端口4作为信号输出端口,所述端口2及所述端口3则作为辅助信号输出端口。
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