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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在实施例中，一种器件包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，第一集成电路管芯的取向沿着第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕第一集成电路管芯，第一介电层和第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于第一介电层和第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，第二集成电路管芯的取向沿着第二管芯阵列的行和列交替，第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕第二集成电路管芯，第二介电层和第二集成电路管芯的表面是平坦的。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一管芯阵列，包括第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯的取向沿着所述第一管芯阵列的行和列交替；第一介电层，围绕所述第一集成电路管芯，所述第一介电层和所述第一集成电路管芯的表面是平坦的；第二管芯阵列，包括位于所述第一介电层和所述第一集成电路管芯上的第二集成电路管芯，所述第二集成电路管芯的取向沿着所述第二管芯阵列的行和列交替，所述第二集成电路管芯的前侧通过金属对金属接合和通过电介质对电介质接合而接合至所述第一集成电路管芯的前侧；以及第二介电层，围绕所述第二集成电路管芯，所述第二介电层和所述第二集成电路管芯的表面是平坦的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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