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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种电路老化时序分析方法，包括：S1，获取电路中同构路径；S2，对同构路径进行分析，以获得同构路径的工作状态；S3，获得工作状态对延时的影响大小，并根据影响大小对同构路径按预设规则进行排序；S4，对部分同构路径进行时序分析，对另一部分同构路径复用已进行时序分析的时序分析结果。另一方面，本公开还提供了一种电路老化时序分析系统。本公开中的方案根据工作状态对路径延时的影响大小对同构的路径进行排序，根据路径的排序仅对部分路径进行时序分析，对其他未进行时序分析的部分路径复用已进行时序分析的路径的时序分析结果，在确保时序分析精度的基础上提供了集成芯片的时序分析速度。
主权项：1.一种电路老化时序分析方法，包括步骤：S1，获取电路中同构路径；S2，对所述同构路径进行分析，以获得所述同构路径的工作状态；所述步骤S2包括：对所述电路进行IR分析，以获得每一时序路径上每一电路单元的实际工作电压；和或，对所述电路进行热力分析，以获得每一时序路径上每一电路单元的每一器件的实际工作温度；和或，对所述电路进行逻辑仿真分析，以获得每一器件的特征参数，进而获得所述电路设计工作寿命时间点器件的老化状态，其中，所述特征参数包括器件控制信号的频率、时间占空比、高电平所对应的电压值；S3，获得所述工作状态对延时的影响大小，并根据所述影响大小对所述同构路径按预设规则进行排序；所述获得所述工作状态对延时的影响大小包括：获得所述实际工作电压偏离设计工作电压所导致的延时漂移；和或，获得所述实际工作温度偏离设计工作温度所导致的延时漂移；和或，获得器件老化偏离器件0老化所导致的延时漂移；S4，对部分同构路径进行时序分析，对另一部分同构路径复用已进行时序分析的时序分析结果；所述步骤S4包括：对顺序排列的同构路径从一端开始进行时序分析，直至临界路径，未进行时序分析的同构路径的时序分析复用所述临界路径的时序分析结果，其中，临界路径为满足时序要求与不满足时序要求转变的同构路径。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种电路老化时序分析方法及系统
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