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申请/专利权人：金阳(泉州)新能源科技有限公司

摘要：本发明的实施例提供了一种降低栅线短路风险的背接触电池制备方法及背接触电池，涉及背接触电池制备技术领域。该降低栅线短路风险的背接触电池制备方法包括在硅片的背面进行刻槽；在硅片的背面形成第一半导体层和掩膜层；在硅片的背面形成第二半导体开口区；在硅片的背面形成第二半导体层；在硅片的背面形成第一半导体开口区；在硅片背面的第一半导体开口区以及第二半导体开口区的位置分别形成金属电极，在金属电极上印刷绝缘块，并将固化后的硅片进行等离子消泡处理，绝缘块设置在硅片背面的凹槽的上方。可以避免金属电极的表面凸起导致绝缘块分布不均匀，还可以避免印刷银浆穿透绝缘块和细栅连接从而造成短路现象，从而避免降低电池的效率。

主权项：1.一种降低栅线短路风险的背接触电池制备方法，其特征在于，包括：在硅片（1）的背面进行刻槽；其中，采用激光在硅片（1）的背面的第一半导体开口区（W1）和第二半导体开口区（W2）内形成多个凹槽（1a），所述凹槽（1a）的长度方向和细栅的设置方向平行，所述凹槽（1a）的宽度方向和主栅的设置方向平行；在硅片（1）的背面形成第一半导体层和掩膜层；在硅片（1）的背面形成第二半导体开口区（W2）；在硅片（1）的背面形成第二半导体层；在硅片（1）的背面形成第一半导体开口区（W1）；在硅片（1）背面的第一半导体开口区（W1）以及第二半导体开口区（W2）的位置分别形成金属电极，在金属电极上印刷绝缘块（12），并将固化后的硅片（1）进行等离子消泡处理，其中，绝缘块（12）设置在硅片（1）背面的凹槽（1a）的上方；在所述第一半导体开口区（W1）和所述第二半导体开口区（W2）的表面交替形成第一细栅电极（10a）和第二细栅电极（10b），然后分别在第一细栅电极（10a）以及第二细栅电极（10b）上印刷绝缘块（12），并在150℃的温度下烘烤5min-10min进行固化；所述绝缘块（12）的位置和凹槽（1a）的位置一一对应，每个所述绝缘块（12）的下方均设有所述凹槽（1a），所述第一细栅电极（10a）和所述第二细栅电极（10b）的银浆经过所述凹槽（1a）位置时，银浆内陷在所述凹槽（1a）内，在印刷第一细栅电极（10a）、第二细栅电极（10b）以及绝缘块（12）时，绝缘油墨填充在所述凹槽（1a）内。

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