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申请/专利权人：三菱电机株式会社

摘要：碳化硅层SL在面内方向上具有活性区域100和配置于活性区域100的外周的外周区域200。多个第1阱区域30配置于活性区域100。第2阱区域31配置于外周区域200。多个欧姆电极70设置于碳化硅层SL的第2面上，与源极电极80连接，与多个第1阱区域30电欧姆连接，具有与碳化硅层SL的第2面中的具有第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域。活性区域100包括标准区域部102和标准区域部102与外周区域200之间的稀疏区域部101。稀疏区域部101相比于标准区域部102，俯视时的多个面区域的面密度更低。

主权项：1.一种碳化硅半导体装置，具备：碳化硅基板，具有第1导电类型；以及碳化硅层，具有面对所述碳化硅基板的第1面和在厚度方向上与所述第1面相反的第2面，在与所述厚度方向垂直的面内方向上具有活性区域和配置于所述活性区域的外周的外周区域，所述碳化硅层包括：漂移层，配置于所述碳化硅基板上，具有所述第1导电类型；多个第1阱区域，在所述活性区域配置于所述漂移层上，具有与所述第1导电类型不同的第2导电类型，至少一个剖面视时相互分离；多个源极区域，配置于所述多个第1阱区域上，具有所述第1导电类型；以及第2阱区域，在所述外周区域配置于所述漂移层上，具有所述第2导电类型，所述碳化硅半导体装置还具备：栅极绝缘膜，面对所述多个第1阱区域；栅极电极，具有配置于所述活性区域的上方且隔着所述栅极绝缘膜面对所述多个第1阱区域的部分和配置于所述外周区域的上方且与所述第2阱区域绝缘的部分；栅极焊盘，配置于所述第2阱区域的上方，与所述第2阱区域绝缘，与所述栅极电极连接；源极电极，设置于所述碳化硅层的所述第2面的上方；以及多个欧姆电极，设置于所述碳化硅层的所述第2面上，与所述源极电极连接，与所述多个第1阱区域电欧姆连接，具有与所述碳化硅层的所述第2面中的具有所述第2导电类型的部分欧姆接触的多个面区域，所述活性区域包括标准区域部和所述标准区域部与所述外周区域之间的稀疏区域部，所述稀疏区域部相比于所述标准区域部，俯视时的所述多个面区域的面密度更低，相当于所述标准区域部与所述外周区域的距离的所述稀疏区域部的宽度是所述碳化硅基板的厚度与所述碳化硅层的厚度的和的20％以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱电机株式会社 碳化硅半导体装置以及电力变换装置