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申请/专利权人：中国人民解放军火箭军工程大学
摘要：本发明属于红外窗口片技术领域，公开了一种硅基底2.5‑14μm中红外窗口片及其制备方法，包括一种硅基底2.5‑14μm中红外窗口片，包括基底和设于其两个相对表面的薄膜；中红外窗口片的结构为：空气0.0406M0.2894L0.4151M0.0644H0.1611M0.1105H0.0871M0.0413HSi基底0.0413H0.0871M0.1105H0.1611M0.0644H0.4151M0.2894L0.0406M空气；式中，H表示一个λ04光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ04光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ04光学厚度的YbF3膜层，λ0为中心波长，H、M与L前的数字为膜层的厚度比例系数；本发明解决了现有的红外窗口片的增透膜带宽窄、增透效率低的问题。
主权项：1.一种硅基底2.5-14μm中红外窗口片，其特征在于：所述中红外窗口片包括基底和设于其两个相对表面的薄膜，两个相对表面的所述薄膜以基底的中心平面为基准镜像对称设置，所述基底为单晶硅，所述薄膜为交替沉积Ge、ZnS和YbF3膜层；所述中红外窗口片的结构为：空气0.0406M0.2894L0.4151M0.0644H0.1611M0.1105H0.0871M0.0413HSi基底0.0413H0.0871M0.1105H0.1611M0.0644H0.4151M0.2894L0.0406M空气；式中，H表示一个λ04光学厚度的Ge膜层，M表示一个λ04光学厚度的ZnS膜层，L表示一个λ04光学厚度的YbF3膜层，λ0为中心波长，H、M与L前的数字为膜层的厚度比例系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军火箭军工程大学 一种硅基底2.5-14μm中红外窗口片及其制备方法
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