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申请/专利权人：格科半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及改善CMOS图像传感器白色像素性能的工艺，所述工艺包含：步骤S1，提供一衬底，所述衬底表面具有多晶硅层，对多晶硅层进行刻蚀，形成多晶硅栅，所述多晶硅栅具有第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的特征尺寸小于第二沟槽的特征尺寸；步骤S2，在多晶硅栅上沉积第一氧化层；步骤S3，对第一氧化层进行纵向刻蚀，刻蚀之后，第一沟槽剩余的第一氧化层的厚度大于第二沟槽剩余的第一氧化层的厚度；步骤S4，对像素区的源极和或漏极进行离子注入；步骤S5，在第一氧化层上沉积第二氧化层；步骤S6，对第二沟槽进行离子注入。本发明制备得到的CMOS图像传感器避免了离子互掺，改善了白色像素性能。
主权项：1.一种改善CMOS图像传感器白色像素性能的工艺，其特征在于，包含：步骤S1，提供一衬底，所述衬底表面具有多晶硅层，对所述多晶硅层进行刻蚀，形成多晶硅栅，所述多晶硅栅具有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的特征尺寸小于所述第二沟槽的特征尺寸；步骤S2，在所述多晶硅栅上沉积第一氧化层；步骤S3，对所述第一氧化层进行纵向刻蚀，刻蚀之后，所述第一沟槽剩余的第一氧化层的厚度大于所述第二沟槽剩余的第一氧化层的厚度；步骤S4，暴露所述衬底像素区的源极和或漏极，对所述源极和或漏极进行离子注入；步骤S5，在所述第一氧化层上沉积第二氧化层；步骤S6，对所述第二沟槽进行离子注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格科半导体(上海)有限公司 一种CMOS图像传感器及改善CMOS图像传感器白色像素性能的工艺
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