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申请/专利权人：北京至格科技有限公司
摘要：本发明提供一种凸面闪耀光栅以及凸面闪耀光栅制备工艺，其中，凸面闪耀光栅制备工艺包括：在凸面基板上设置光刻胶光栅掩膜，得到设置光刻胶光栅掩膜的凸面基板。对设置光刻胶光栅掩膜的凸面基板进行第一离子束刻蚀，得到设置同质光栅掩膜的凸面基板。对设置同质光栅掩膜的凸面基板进行第二离子束刻蚀，且在对设置同质光栅掩膜的凸面基板进行第二离子束刻蚀过程中，通过控制凸面基板旋转使得凸面基板不同位置的离子束入射角等于凸面闪耀光栅的目标闪耀角，得到凸面闪耀光栅。本发明的凸面闪耀光栅制备工艺能够改善现有凸面基板在不同位置处刻蚀得到的闪耀光栅的闪耀角大小不一致的问题，提高凸面闪耀光栅闪耀角大小的均匀性。
主权项：1.一种凸面闪耀光栅制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：在凸面基板上设置光刻胶光栅掩膜，得到设置光刻胶光栅掩膜的凸面基板；对所述设置光刻胶光栅掩膜的凸面基板进行第一离子束刻蚀，得到设置同质光栅掩膜的凸面基板；对所述设置同质光栅掩膜的凸面基板进行第二离子束刻蚀，在对所述设置同质光栅掩膜的凸面基板进行第二离子束刻蚀过程中，通过控制凸面基板旋转使得凸面基板不同位置的离子束入射角等于凸面闪耀光栅的目标闪耀角，得到凸面闪耀光栅。
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权利要求：
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