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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明属于二维材料制备领域，具体涉及一种Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料的定向可控制备方法，在衬底上制备2HMoTe2，随后将其在含氢气氛、620～720℃的温度下退火，制得Mo6Te6材料一维纳米线及准二维纳米带阵列。此外，本发明还包括所述制备方法制得的材料及其应用。本发明所述的方法，能够高定向地获得Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料，且该方法得到的材料具有优异的性能。
主权项：1.一种Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料的定向可控制备方法，其特征在于，在衬底上制备2HMoTe2，随后将其在含氢气氛、620～720℃的温度下退火，制得Mo6Te6材料一维纳米线及准二维纳米带阵列。
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权利要求：
百度查询： 湖南大学 Mo6Te6一维纳米线及准二维纳米带阵列材料及其制备和应用
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