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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明公开了一种高透光、低发射率的银纳米线薄膜的制备方法，属于光电材料技术领域，本发明利用L‑抗坏血酸温和的还原能力来清洗银纳米线薄膜，清洗条件为：L‑抗坏血酸溶液的浓度为0.19‑0.3moLL，温度为15‑25℃，时间为120‑250s；通过使用L‑抗坏血酸破坏PVP分子链上羰基氧和银原子之间的银氧键，在保持银纳米线网络形态和基材之间附着力的前提下，有效降低银纳米线接触电阻从而提升导电能力，最终获得兼具高透光率和低发射率特性的银纳米线薄膜，成为面向可见光‑红外兼容伪装的一种极具潜力的光电材料。
主权项：1.一种高透光、低发射率的银纳米线薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：制备银纳米线悬浮液；将制得的银纳米线悬浮液喷涂在基板上，得到银纳米线薄膜；配置L-抗坏血酸溶液，将银纳米线薄膜放入溶液中，低温条件下保温，去除银纳米线薄膜表面的聚乙烯吡咯烷酮；洗涤干燥后得到干净的银纳米线薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种高透光、低发射率的银纳米线薄膜的制备方法
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