龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开一种结合垂直侧壁上的叠层结构和CMP工艺制备平面超细密排沟槽结构，并通过平面固液固的纳米线生长方法，制备出可定位的平面超细密排纳米线，并通过编程引导技术实现阵列化。本发明有望突破长期以来由于光刻技术限制无法大规模集成制备平面超细纳米线的关键技术瓶颈，在低热预算、微米级别光刻精度下且能够在没有高晶格质量的晶圆衬底上实现平面超细纳米线阵列，可大规模运用于三维集成的后端。
主权项：1.无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：1）利用掩膜板光刻技术在衬底上定义边缘图案，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述衬底形成具有垂直侧壁的突出形貌；2）以第一步定义的边缘图案为衬底，在所述衬底上循环交替淀积两种不同介质层；3）利用CMP工艺将所述边缘图案顶端垂直方向循环堆叠的介质层去除，将水平方向循环交替的两种介质层暴露；4）用对两种介质层具有不同刻蚀速率的腐蚀性液体处理表面，形成平面密排的生长沟槽；5）以步骤4所形成的平面密排生长沟槽为衬底，再次利用掩膜板光刻技术定义催化金属，通过蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层；6）升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；7）将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；然后将温度升高至适当温度，使得纳米金属颗粒重新熔化，在其前端开始吸收非晶层，而在后端淀积出晶态的纳米线，在所述生长沟槽的引导下，纳米线沿平面密排的引导沟道生长；8）剩余的非晶半导体前驱体由氢气等离子体、ICP或者RIE等刻蚀工艺去除，得到平面密排的纳米线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 无需高精度光刻制备平面超细密排沟槽及纳米线的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号