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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：本发明提供了一种基于活化过硫酸盐的碳化硅化学机械抛光方法，属于抛光技术领域，包括以下步骤：（1）抛光前混合抛光液母液与过硫酸盐，得到碳化硅化学机械抛光液；所述抛光液母液包括磨粒、表面活性剂、Fenton试剂和去离子水；（2）在UV光照下，使用抛光液和抛光垫，对碳化硅衬底进行抛光处理。通过本发明的方法可以在碳化硅化学机械抛光中达到较高的材料去除率和较低的表面粗糙度，有效提升磨抛效率，且易漂洗残留少。本发明是基于过渡金属离子活化过硫酸盐产生强氧化性硫酸根自由基的类Fenton反应，结合UV光催化协同活化过硫酸盐产生自由基，高效软化碳化硅表层，提升表层材料的去除率，提高表面平坦化效率。
主权项：1.一种基于活化过硫酸盐的碳化硅化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）抛光前混合抛光液母液与过硫酸盐，得到碳化硅化学机械抛光液；所述抛光液母液包括磨粒、表面活性剂、Fenton试剂和去离子水；（2）在UV光照下，使用抛光液和抛光垫，对碳化硅衬底进行抛光处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京科技大学 一种基于活化过硫酸盐的碳化硅化学机械抛光方法
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