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一种全角度探测范围各向异性磁阻角度传感器及制作方法 

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申请/专利权人:山东航天电子技术研究所

摘要:本发明涉及角度传感技术领域,具体涉及一种全角度探测范围各向异性磁阻角度传感器及制作方法。利用两组互成45度放置的不带barber电极的惠斯通电桥输出正、余弦曲线以实现0~180度的角度探测范围,利用两组互成90度放置的带barber电极的惠斯通电桥进行磁场方向判别以将传感器角度探测范围进一步拓宽至0~360度的全角度探测范围。本发明在同一个芯片上同时集成了多种惠斯通电桥设计类型,并通过优化磁阻条的版图结构设计提升了晶圆面积利用率,从而进一步推动了传感器的小型化和集成化应用。

主权项:1.一种全角度探测范围各向异性磁阻角度传感器,其特征在于:从下到上依次包括衬底、AMR薄膜和电极层;衬底,为硅基片晶圆,其上氧化有SiO2层以改善电子薄膜附着性及晶圆表面粗糙度;AMR薄膜结构,包括缓冲层、磁性功能层和保护层,其中:缓冲层,为薄膜材料,用于改善晶圆表面粗糙度并提升磁性薄膜性能;磁性功能层,用于实现角度探测或磁场方向判定功能;实现角度探测功能的磁性功能层为坡莫合金;坡莫合金上设置两组互成45度放置的不带barber电极的惠斯通电桥A1与A2,输出正、余弦曲线以实现0~180度的角度探测范围;坡莫合金上设置两组互成90度放置的带barber电极的惠斯通电桥B1与B2,进行磁场方向判别,以将传感器角度探测范围拓宽至0~360度的全角度探测范围;保护层,为薄膜材料,以保护磁性功能层不受外界环境氧化、污染;电极层,为非磁性导电金属层,用于磁阻条之间的金属互连及后期引线键合。

全文数据:

权利要求:

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