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申请/专利权人：孙华
摘要：本发明涉及石墨烯制取设备技术领域，尤其是涉及一种CVD沉积石墨烯的规模化制备设备。制备设备包括制备腔室、反应室、冷却室、液体气密池和传送带组件；将反应室、冷却室设置在密闭的制备腔室内，并且通过液体气密池对主腔室内的空间进行密封，确保主腔室内具有良好的密闭性，避免了在石墨烯生产过程中进入空气发生设备爆炸的事故；传送带组件能够带动基底依次通过反应室和冷却室，能够实现基底相对于反应室的连续性输出，进而实现了石墨烯生产的连续性，完整性，实现了石墨烯的规模化生产。
主权项：1.一种CVD沉积石墨烯的规模化制备设备，其特征在于，包括制备腔室、反应室、冷却室、液体气密池和传送带组件；所述制备腔室为密闭腔室，所述制备腔室包括主腔室和副腔室，所述主腔室的出口端和副腔室的进口端连通，所述制备腔室的部分底面向下凹陷形成液体气密池，且主腔室出口端和副腔室的进口端均位于液体气密池的液位以下；所述传送带组件布置在制备腔室内，经过液体气密池后经副腔室出口端延伸至制备腔室的外侧；沿传送带组件的输送方向，反应室和冷却室依次布置在制备腔室内，且反应室和冷却室的开口端均朝向传送带组件设置；所述液体气密池包括相互套接刻蚀槽和清洗槽；所述清洗槽为制备腔室部分底面向下凹陷形成的结构；所述制备腔室内设置有隔板，该隔板将制备腔室分割成主腔室和副腔室；隔板其中一侧与清洗槽的侧壁构成主腔室的出口端，其另一侧与清洗槽的侧壁构成副腔室的进口端；隔板的下端插接在刻蚀槽中，且隔板下端位于刻蚀槽液位以下；所述刻蚀槽内设置有刻蚀剂，所述清洗槽内设置有去离子水；所述刻蚀槽的内表面，以及隔板的下端设置有防腐层；所述副腔室的出口端设置有与副腔室出口端密闭连接的弹性气密件；所述弹性气密件上设置有供传送带组件穿过的通道；所述弹性气密件还包括加紧部，所述加紧部向弹性气密件施加压力，以控制通道与传送带组件之间的间距；通过去离子水和刻蚀液能够对制备腔室形成第一道密封，通过弹性气密件能够对制备腔室形成第二道密封。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 孙华 一种CVD沉积石墨烯的规模化制备设备
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