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申请/专利权人：集成太阳能私人有限公司
摘要：本发明涉及一种提供在111Si上生长的n‑掺杂的第III‑V族材料的方法，并且尤其涉及一种包括与不生长步骤交错的生长第III‑V族材料的步骤的方法，其中生长步骤和不生长步骤两者都受到恒定的不间断的砷流浓度的影响。
主权项：1.一种在分子束外延MBE生长工艺中提供可控n-掺杂的方法，所述分子束外延生长工艺包括在111Si基底上生长第III-V族材料，其中成核层包括第III-Sb族材料，所述方法包括以下步骤：生长所述成核层，此后将连续流动的砷流朝向所述111Si基底的生长界面引导，在包括以下周期的步骤中沉积第III-V族材料：其中在第一步骤中进行所述第III-V族材料的沉积，随后是第二步骤，在所述第二步骤中停止所述第III-V族材料的所述沉积，根据所述第一步骤和所述第二步骤继续沉积所述第III-V族材料，同时所述砷流继续流动，直到最终材料组成生长，将所述外延生长工艺的温度保持在300℃至580℃之间的区间内，其中所沉积的材料被非有意地掺杂有在2E14cm-3至3.6E16cm-3的区间内的所得到的p-型掺杂浓度，并且在室温具有≥1.6E3cm2Vs的迁移率，能够实现用n-掺杂剂的补偿掺杂，其中补偿n-掺杂剂在所述第一步骤中与所述第III-V族材料同时沉积，产生n-掺杂材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 集成太阳能私人有限公司 在(111)Si上生长的第III-V族材料的受控的n-掺杂的方法
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