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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种硅基III‑V族外延材料的制备方法，包括：对硅衬底的表面进行清洗和预处理，以清除表面杂质并平整硅衬底的表面；将预处理后的硅衬底置于特定环境下进行升温和退火；在退火后的硅衬底表面预沉积超薄插入层，在超薄插入层表面外延生长III‑V族体材料外延层，得到硅基III‑V族外延材料，对硅基III‑V族外延材料进行循环退火，实现超薄插入层对硅基III‑V族外延材料位错的二次过滤；在循环退火后的硅基III‑V族外延材料表面生长平整层，其中，通过清洗、预处理、升温和退火、预沉积超薄插入层、循环退火以及生长平整层共同作用来抑制外延过程中的反向畴和穿透位错。
主权项：1.一种硅基III-V族外延材料的制备方法，其特征在于，包括：对硅衬底的表面进行清洗和预处理，以平整所述硅衬底的表面；将预处理后的硅衬底置于特定环境下进行升温和退火；在退火后的硅衬底表面预沉积超薄插入层；在所述超薄插入层表面外延生长III-V族体材料外延层，得到硅基III-V族外延材料；对所述硅基III-V族外延材料进行循环退火，以实现所述超薄插入层对所述硅基III-V族外延材料位错的二次过滤；在循环退火后的硅基III-V族外延材料表面生长平整层；其中，通过所述清洗、所述预处理、所述升温和退火、预沉积超薄插入层、循环退火以及生长平整层共同作用来抑制外延过程中的反向畴和穿透位错。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 硅基III-V族外延材料的制备方法
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