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申请/专利权人：合肥芯谷微电子股份有限公司
摘要：本发明提供了一种Ⅲ‑Ⅴ族半导体器件正面结构层的加工方法，所述加工方法包括：采用光刻工艺将图形复印到待加工半导体晶圆表面，然后进行离子注入；采用电子束蒸镀工艺依次进行多金属蒸镀，形成欧姆接触层；采用等离子体化学气相沉积法沉积氮化硅膜，再刻蚀氮化硅膜露出欧姆接触层；再次采用电子束蒸镀工艺，先蒸镀金属铂，再蒸镀钛、锌或铍中任意一种以及金，形成电极金属层。本发明通过在晶圆电极金属层前增加铂金属作为阻挡层，利用成膜后耐熔性高、电阻较大的特性，提高对刻蚀气体的阻碍作用，避免背孔过度刻蚀的问题；通过将铂金属层设置在欧姆接触层远离晶圆基体一侧，避免影响欧姆接触层作用的发挥，提高晶圆生产的合格率，降低生产成本。
主权项：1.一种Ⅲ-Ⅴ族半导体器件正面结构层的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括以下步骤：1采用光刻工艺将图形复印到待加工Ⅲ-Ⅴ族半导体晶圆表面，然后进行离子注入；2采用电子束蒸镀工艺依次进行多金属蒸镀，形成欧姆接触层；3采用等离子体化学气相沉积法沉积氮化硅膜，再刻蚀氮化硅膜露出欧姆接触层；4再次采用电子束蒸镀工艺，先蒸镀金属铂，再蒸镀金属钛、锌或铍中任意一种以及金，形成电极金属层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥芯谷微电子股份有限公司 一种Ⅲ-Ⅴ族半导体器件正面结构层的加工方法
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