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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

摘要：本发明涉及一种抛光布修整工艺，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：先将新的抛光布平整贴在抛光设备上，贴布前对布进行进扎孔，用滚针进行均匀滚压防止贴布时有气泡产生。第二步：布贴好后进行压布。第三步：布贴好后开始对新布进行第一次修整，修整完成后进行高压冲洗。第四步：进行第二次修整，修整完成后进行高压冲洗，然后进行参数确认，再进行修整效果确认。第五步：进行第三次修整，修整完成后进行高压冲洗。第六步：硅片在持续加工过程中进行中间修整，对抛光布表面粗糙度进行修复。具有运行稳定性好和使用寿命长的优点。解决了抛光过程中容易出现划伤的问题。避免抛光片出现橘皮、雾、烧结等表面缺陷。

主权项：1.一种抛光布修整工艺，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：先将新的抛光布平整贴在抛光设备上，贴布前对布进行扎孔，用滚针进行均匀滚压防止贴布时有气泡产生；第二步：布贴好后进行压布，通过设定程序在4000daN压力下进行压布，时长35～45min；上下盘间的修整砂轮数量为4个，采用等间距环形分布；修整砂轮两端面上设有若干呈等间距环形分布的金刚石；第三步：布贴好后开始对新布进行修整，首先将四个修整砂轮放在抛光布上，正面朝上两个，反面朝上两个，交叉放置，然后开始第一次修整，第一次修整完成后进行高压冲洗；第一次修整压力设置150daN，时间16min；上盘顺时针方向转动，转速为1圈秒；下盘逆时针方向转动，转数为3圈秒；纯水流量为8Lmin，纯水流量误差为±2Lmin；第四步：进行第二次修整，第二次修整完成后进行高压冲洗，然后进行参数确认，放上载体进行生产加工，连续加工5片硅片抛光后，再进行修整效果确认，保证TTV、SFQR及ESFQR在目标范围；第二次修整压力设置150daN，时间16min；上盘顺时针方向转动，转速为1圈秒；下盘逆时针方向转动，转数为6圈秒；纯水流量为8Lmin，纯水流量误差为±2Lmin；第五步：进行第三次修整，第三次修整完成后进行高压冲洗；第三次修整压力设置150daN，时间16min；上盘顺时针方向转动，转速为1圈秒；下盘逆时针方向转动，转数为6圈秒；纯水流量为8Lmin，纯水流量误差为±2Lmin；第六步：硅片在持续加工过程中，反应产物会不断在布表面残留积累，同时布表面绒毛会不断被压弯，表面粗糙度降低，在硅片加工过程中进行中间修整，对抛光布表面粗糙度进行修复；中间修整压力设置150daN，时间6min；上盘顺时针方向转动，转速为1圈秒；下盘逆时针方向转动，转数为6圈秒；纯水流量为8Lmin，纯水流量误差为±2Lmin。

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