龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：香港城市大学深圳研究院
摘要：本发明通过高度可逆的质子的嵌入和脱嵌实现了在半金属1T'‑二硫化钨1T'‑WS2中高浓度的电子的注入和脱出1eWS2，从而诱导了WS2的可逆相变。系统的表征表明质子嵌入后的新相WS2具有半导体特性，其具有新颖的非常规相，表示为1T'd相。质子作为最轻，最小的离子可以避免在插层过程中对WS2造成结构的损伤，从而实现高度可逆的结构相变。在从1T'‑WS2到1T'd‑WS2的相变过程中，可以实现开关比超过106的传输调制。利用1T'‑WS2纳米片作为沟道层开发了一种利用可逆相变的优点的晶体管。
主权项：1.一种晶体管，包括：源电极、漏电极和栅电极；1T'-WS2纳米片作为沟道层，其两端分别连接所述源电极和所述漏电极，所述1T'-WS2纳米片表面覆盖保护层以避免质子电解液与所述源电极和所述漏电极的直接接触以及避免所述栅电极与所述1T'-WS2纳米片的直接接触，在所述1T'-WS2纳米片边缘附近的所述保护层上开反应窗口，使得所述质子电解液中的质子能够在栅极电压的驱动下进行质子的嵌入和脱嵌，质子的可逆嵌入和脱嵌能够诱导WS2的可逆半金属-半导体相变，从而改变所述沟道层的电导率或所述沟道层对光的光谱响应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港城市大学深圳研究院 非常规相WS2纳米片的可逆半金属-半导体转变
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号