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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本申请公开一种半导体装置结构的制备方法，包含：在一半导体基底上依序形成一第一、第二、第三及第四介电层；部分地移除该第四介电层以形成一上开口；部分地移除该第三介电层以形成一下开口，其中该下开口的宽度大于该上开口的宽度；在该下开口内形成一第一半导体结构，其中该第一半导体结构具有覆盖该下开口的相对侧壁的一第一部分和一第二部分；在该第一半导体结构的该第一部分与该第二部分之间形成一第二半导体结构，其中该第二半导体结构具有彼此隔开的一第一部分和一第二部分，该第二半导体结构的该第一部分直接接触该第一半导体结构的该第一部分，且该第二半导体结构的该第二部分直接接触该第一半导体结构的该第二部分；以及在形成该第一半导体结构和该第二半导体结构之后，移除该第三介电层和该第四介电层。
主权项：1.一种半导体装置结构的制备方法，包括：在一半导体基底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一第二介电层；在该第二介电层上形成一第三介电层；在该第三介电层上形成一第四介电层；部分地移除该第四介电层以形成一上开口；部分地移除该第三介电层以形成一下开口，其中该下开口的宽度大于该上开口的宽度；在该下开口内形成一第一半导体结构，其中该第一半导体结构具有覆盖该下开口之相对侧壁的一第一部分和一第二部分；在该第一半导体结构的该第一部分与该第二部分之间形成一第二半导体结构，其中该第二半导体结构具有彼此隔开的一第一部分和一第二部分，该第二半导体结构的该第一部分直接接触该第一半导体结构的该第一部分，且该第二半导体结构的该第二部分直接接触该第一半导体结构的该第二部分；以及在形成该第一半导体结构和该第二半导体结构之后，移除该第三介电层和该第四介电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有复合式硬遮罩的半导体装置结构的制备方法
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