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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：本公开涉及一种改善半导体封装爬电的方法，其中所述封装包括半导体器件和在所述封装的表面处的多个导电触点，所述封装包括用于使所述封装在所述多个导电触点之间电绝缘的绝缘材料，其中初始爬电距离由在所述封装的所述表面上在所述多个触点中的两个触点之间的最短距离定义，并且所述方法包括在所述封装的所述绝缘材料的至少一部分上施加涂层的步骤，其中所述涂层具有高于所述封装的所述绝缘材料的体积电阻率的体积电阻率，以增加所述初始爬电距离并改善所述半导体封装的封装爬电。
主权项：1.一种改善半导体封装爬电的方法，其中所述封装包括半导体器件和多个导电触点，所述多个导电触点在所述封装的表面处102a,102b,102c,102d、并在所述封装的所述表面处暴露，所述封装包括用于使所述封装在所述多个导电触点102a,102b,102c,102d,102e之间电绝缘的绝缘材料，其中初始爬电距离由在所述封装的所述表面上在所述多个触点中的两个触点之间的最短距离定义，并且所述方法包括以下步骤：-在所述封装施加涂层，其中所述涂层具有高于所述封装的所述绝缘材料的体积电阻率的体积电阻率，以增加所述初始爬电距离并改善所述半导体封装的封装爬电。
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百度查询： 安世有限公司 改善封装爬电距离的方法
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