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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：本公开提供了一种集成电路结构及其制造方法，该集成电路结构包括衬底、第一存储器字串、源线以及第二存储器字串。第一存储器字串位于衬底上方，且包含在垂直方向上堆叠的多个第一存储单元。源线横向地延伸于第一存储器字串上方。第二存储器字串位于源线上方，且包含在垂直方向上堆叠的多个第二存储单元。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：一衬底；一第一存储器字串，位于该衬底上方，且包含在一垂直方向上堆叠的多个第一存储单元；一源线，横向地延伸于该第一存储器字串上方；以及一第二存储器字串，位于该源线上方，且包含在该垂直方向上堆叠的多个第二存储单元。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 集成电路结构及其制造方法
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