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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明提供一种AlGaInP基反极性垂直发光二极管芯片及制备方法，该芯片包括由下至上依次设置的衬底、中间层、P型半导体层、有源层及N型半导体层，P型半导体层包括P型窗口层，P型窗口层包括呈周期性交替层叠设置的AlxGa0.5‑xIn0.5P子层和AlαGa0.5‑αIn0.5P子层，AlxGa0.5‑xIn0.5P子层和AlαGa0.5‑αIn0.5P子层均掺杂有Mg元素或Zn元素，AlαGa0.5‑αIn0.5P子层的禁带宽度大于AlxGa0.5‑xIn0.5P子层的禁带宽度，AlαGa0.5‑αIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度大于AlxGa0.5‑xIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度，本发明可提高LED器件的出光率，提高外量子率。
主权项：1.一种AlGaInP基反极性垂直发光二极管芯片，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、中间层、P型半导体层、有源层及N型半导体层，所述P型半导体层包括P型窗口层，所述P型窗口层包括呈周期性交替层叠设置的AlxGa0.5-xIn0.5P子层和AlαGa0.5-αIn0.5P子层，所述AlxGa0.5-xIn0.5P子层和所述AlαGa0.5-αIn0.5P子层均掺杂有Mg元素或Zn元素，所述AlαGa0.5-αIn0.5P子层的禁带宽度大于所述AlxGa0.5-xIn0.5P子层的禁带宽度，所述AlαGa0.5-αIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度大于所述AlxGa0.5-xIn0.5P子层的Mg元素或Zn元素的掺杂浓度。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种AlGaInP基反极性垂直发光二极管芯片及制备方法
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