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申请/专利权人：C12量子电子公司
摘要：本发明涉及一种用于校准通过对称磁场和反对称磁场耦合到微波腔的两级自旋量子系统的方法，该量子系统呈包括左点和右点的双量子点的形式，该系统经受偏置电压，该方法的特征在于以下步骤：‑将该偏置电压ε设定为零伏；‑确定该量子点中的每个量子点的波函数φp；‑计算和或设定反对称磁耦合常数αas和对称磁耦合常数αs；计算和或设定隧道耦合常数和或该对称磁耦合常数αs和或该反对称磁耦合常数αas。
主权项：1.一种用于校准通过对称磁场和反对称磁场耦合到微波腔的两级自旋量子系统或自旋量子位的方法，所述量子系统呈包括左点和右点的双量子点的形式，并且经受偏置电压，所述方法的特征在于以下步骤：-将所述偏置电压ε设定为零伏，-确定所述量子点中的每个量子点的波函数-使用以下公式来计算和或设定反对称磁耦合常数αas和对称磁耦合常数αs： 其中，是电子轨道pp＝左点或右点的波函数，并且Bix是所述对称磁场Bsx和所述反对称磁场Basx，计算和或设定隧道耦合常数γ和或所述对称磁耦合常数αs和或所述反对称磁耦合常数αas，使得：2γαs＝αs2+αas2并且或者 是在施加AC电流之后不期望的跃迁的期望概率，其中， 并且
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百度查询： C12量子电子公司 用于校准和/或辅助设计自旋量子位或两级量子系统的方法以及量子部件
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