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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开一种制备柔性自旋阀的方法，属于磁电子学技术领域。本发明利用PI为载体，采用磁性颗粒或反磁性颗粒为掺杂物，并利用激光诱导石墨烯工艺，逐层制备铁磁性、反铁磁性等柔性薄膜从而构建柔性自旋阀器件。本发明由于制备的薄膜均属于柔性材料，其抗弯折能力有明显的提升，采用本发明可以大规模制备自旋阀，为磁性电子器件的制备提供了新思路。
主权项：1.一种制备柔性自旋阀器件的方法，其步骤包括：1）底电极的制备：将PI胶带粘贴在衬底上，采用激光直写诱导石墨烯工艺，在PI胶带上形成石墨烯底电极；2）反铁磁钉扎层的制备，具体包括如下步骤：2-1）将反铁磁性颗粒均匀混入PI液体中；2-2）上述衬底置于匀胶机上，将步骤2-1）得到的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在石墨烯底电极上形成PI薄膜，2-3）进行激光直写操作，获得含有反铁磁颗粒的石墨烯层，作为反铁磁钉扎层；3）固定铁磁电极的制备，具体包括如下步骤：3-1）将铁磁性颗粒均匀混入PI液体中；3-2）上述衬底置于匀胶机上，将步骤3-1）得到的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在反铁磁钉扎层上形成PI薄膜，该薄膜的厚度小于步骤2-2）制备的PI薄膜；3-3）进行激光直写操作，获得含有铁磁颗粒的石墨烯层，作为固定铁磁层；4）隧道屏障层的制备：选取纯PI液或者采用非磁性绝缘颗粒对PI液体进行掺杂，接着将上述衬底置于匀胶机上，将纯PI液或掺杂非磁性绝缘颗粒的PI液体滴在衬底的中心区域，进行旋涂，并固化处理，在固定铁磁层上形成PI薄膜，采用该PI薄膜作为隧道屏障层；5）自由铁磁层的制备：采用步骤3-1）—3-3），获得含有铁磁颗粒的石墨烯层，该石墨烯层作为自由铁磁层；6）顶电极的制备：在上述衬底表面涂覆一层PI液体，并固化处理，在自由铁磁层上形成PI薄膜，采用激光直写工艺，得到石墨烯顶电极，从而构成器件结构；7）自旋阀器件的封装：采用PI胶带平整粘贴在器件结构的外表面，同时将最底层的PI胶带从刚性衬底上分离，采用激光直写工艺将底电极和顶电极漏出，获得柔性自旋阀器件。
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