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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明涉及一种基于线栅结构自旋电子器件的圆偏振太赫兹辐射装置，可对太赫兹波的椭偏度及手性进行连续调节，装置包括由多层异质结结构组成的自旋电子太赫兹发射器件，多层异质结结构包括相互堆叠的磁性金属材料层和非磁金属材料层，磁性层包括铁磁、亚铁磁金属材料；非磁层采用具有高自旋‑电荷转化效率的金属材料。多层异质结在平面内为线栅结构。通过飞秒激光脉冲激发磁化后的磁性层中的自旋极化电子，然后经过非磁层转化为平面内的瞬态电流，从而产生太赫兹辐射；利用外加可调控磁场改变自旋极化电子在非磁层中的偏转方向，从而改变瞬态电流在线栅结构中的分布，实现宽频强场太赫兹椭偏度及手性的调控。与现有技术相比，本发明具有宽太赫兹光谱范围、高椭偏率、偏振状态和手性连续可调以及高产生效率等优点。
主权项：1.一种基于线栅结构自旋电子器件的圆偏振太赫兹辐射装置，其特征在于，包括多层异质结结构，该多层异质结结构包括相互堆叠的磁性金属材料层和非磁金属材料层，所述磁性材料层包括铁磁、亚铁磁金属材料；所述非磁层采用具有高自旋-电荷转化效率的金属材料，所述多层异质结结构在平面内为线栅结构；通过飞秒激光脉冲激发磁化后的磁性材料层中的自旋极化电子，然后经过非磁层转化为平面内的瞬态电流，从而产生太赫兹辐射；通过改变所述自旋极化电子的偏振方向，从而改变所述瞬态电流在线栅结构中的分布，实现对宽频强场太赫兹椭偏度及手性的调控；通过对所述多层异质结结构施加磁场，造成磁性材料层电子自旋的极化，产生所述飞秒激光脉冲激发产生的自旋极化电荷流；通过改变所述磁场与平面内线栅结构的角度，改变所述自旋极化电子在非磁层中的偏转方向，从而改变所述瞬态电流在线栅结构中的时间-空间分布；所述多层异质结结构中的线栅结构由多根平行排列的磁性非磁性金属条组成，单根所述金属条的长度在100微米以上、宽度在100纳米至100微米范围以内；线栅周期在100纳米至1000微米范围以内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种基于线栅结构自旋电子器件的圆偏振太赫兹辐射装置
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