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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本申请提供了一种半导体器件及电子设备。其中，半导体器件包括多个元胞区，至少一个元胞区包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极层叠且间隔设置；N型半导体区，N型半导体区位于第一电极与第二电极之间；沟槽结构，沟槽结构位于N型半导体区与第一电极之间，沟槽结构包括第一子沟槽结构和第二子沟槽结构，第一子沟槽结构沿第一方向延伸，第二子沟槽结构沿第二方向延伸，第一方向与第二方向之间具有夹角；第一P型半导体区，第一P型半导体区位于第一电极与N型半导体区之间。本申请能够更为有效地阻止高电场穿透肖特基结，从而增强对肖特基结的保护作用。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括多个元胞区，至少一个所述元胞区包括：第一电极；第二电极，所述第二电极与所述第一电极层叠且间隔设置；N型半导体区，所述N型半导体区位于所述第一电极与所述第二电极之间；沟槽结构，所述沟槽结构位于所述N型半导体区与所述第一电极之间，所述沟槽结构包括第一子沟槽结构和第二子沟槽结构，所述第一子沟槽结构沿第一方向延伸，所述第二子沟槽结构沿第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向之间具有夹角；第一P型半导体区，所述第一P型半导体区位于所述第一电极与所述N型半导体区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 半导体器件及电子设备
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