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申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司
摘要：本申请公开了一种多功能晶圆处理装置，包括反应腔、收容腔、载台、线圈和靶材，靶材具有第一工作位置时和第二工作位置；使得靶材处于收容腔内，进行晶圆刻蚀时，靶材远离反应区域、不会被污染物附着；使得靶材处于反应腔内，进行晶圆镀膜时，靶材可实现反应气体的电离和金属原子的供给；本申请提供的多功能晶圆处理装置通过在反应腔内布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性、以便于适应多种生产线的工艺需求，还能够降低使用成本；通过设置靶材具有两个不同的工作位置，刻蚀过程中转移靶材能够避免靶材沾附污染物，从而确保两种工艺的可靠进行。
主权项：1.一种多功能晶圆处理装置，其特征在于，包括：反应腔（1），用于为晶圆提供作业空间；收容腔（2），设于所述反应腔（1）一侧、并连通所述反应腔（1）；载台（3），设于所述反应腔（1）内，用于承载晶圆；线圈（4），设于所述反应腔（1）内、并处于所述载台（3）上方；靶材（5）和位移驱动机构（10），所述位移驱动机构（10）用于驱使所述靶材（5）往返于第一工作位置和第二工作位置；所述靶材（5）处于所述第一工作位置时，所述靶材（5）处于所述收容腔（2）内；所述靶材（5）处于所述第二工作位置时，所述靶材（5）处于所述反应腔（1）内；进行晶圆刻蚀时，使得所述靶材（5）处于所述第一工作位置，所述线圈（4）通电、电离反应气体、形成等离子体，等离子体向下轰击、对所述载台（3）上的晶圆表面进行刻蚀；进行晶圆镀膜时，使得所述靶材（5）处于所述第二工作位置，所述靶材（5）通电、电离反应气体、形成等离子体，电子向上轰击所述靶材（5）、产生金属原子，金属原子向下沉积、对所述载台（3）上的晶圆表面进行镀膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡尚积半导体科技有限公司 多功能晶圆处理装置
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