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申请/专利权人：光科芯图(北京)科技有限公司
摘要：本发明涉及光刻技术领域，特别涉及一种掩模板优化方法、装置及提高全息成像质量的方法，一种掩模板优化方法包括如下步骤：提供一初始掩模板、一覆盖有非线性材料的晶圆；在预设时间内依次向所述初始掩模板提供两个相同的EUV脉冲，并对经过所述初始掩模板的EUV脉冲进行分隔和聚焦到所述晶圆表面以依次产生两个不同的光声信号；获取两个光声信号的幅值差；根据所述幅值差采用遗传算法获取需要补偿的相位信息；根据需要补偿的相位信息对初始掩模板进行修改，得到相位掩模板；利用相位掩模板对光源产生装置产生的畸变波前进行整形，解决了现有的技术中成像分辨率低的技术问题。
主权项：1.一种掩模板优化方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一初始掩模板、一覆盖有非线性材料的晶圆；在预设时间内依次向所述初始掩模板提供两个相同的EUV脉冲，并对经过所述初始掩模板的EUV脉冲进行分隔和聚焦到所述晶圆表面以依次产生两个不同的光声信号；获取两个光声信号的幅值差；根据所述幅值差采用遗传算法获取需要补偿的相位信息；根据需要补偿的相位信息对初始掩模板进行修改，得到相位掩模板。
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百度查询： 光科芯图(北京)科技有限公司 一种掩模板优化方法、装置及提高全息成像质量的方法
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