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申请/专利权人：无锡光磊电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种提高MOS器件耐压的方法，包括S1，首先进行衬底材料的选取；S2，选择栅极材料并制备栅极；S3，进行分级电压配置；S4，在进行源极和漏极设置时调整掺杂工艺参数；S5，调整多级MOS结构之间的距离；S6，进行MOS器件的耐压测试。本方明在进行MOS器件耐压能力提升的方法包括设置第一绝缘层和第二绝缘层、选择衬底材料和栅极材料、进行电压分级配置，调整掺杂工艺以及调整多级MOS结构之间的距离共同实现，通过上述方法之间的结合，使得进行MOS器件耐压改性操作起来更加的灵活，同时利用多种调节的方式使得MOS器件改性实施效果更加的明显，以此使得本方案制备出的MOS器件高压使用下性能更稳定。
主权项：1.一种提高MOS器件耐压的方法，其特征在于，所述提高方法包括以下几个步骤：S1，首先进行衬底材料的选取，即选用高能带隙材料作为衬底材料，同时设置第一绝缘层；S2，选择栅极材料并制备栅极，并在栅极和通道之间均设置第二绝缘层，同时调整栅极的宽度；S3，进行分级电压配置，结合S1和S2的材料制备多级MOS结构，调节相邻栅极之间的距离，调节完成后进行栅极电场分布模拟，之后再使用电路仿真测试各级MOS结构的电压；S4，在进行源极和漏极设置时调整掺杂工艺参数，并使用高温退火工艺，控制源极和漏极电导率；S5，调整多级MOS结构之间的距离，并结合距离设置进行布线连接调整，调整完成之后进行电磁仿真；S6，进行MOS器件的耐压测试，然后结合测试数据进行进一步的优化设计。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡光磊电子科技有限公司 一种提高MOS器件耐压的方法
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