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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，其包括一混合区与一非混合区；一底部多孔介电层，其设置于该基底上；一顶部多孔介电层，其设置于该底部多孔介电层上；一中间多孔介电层，其设置于该混合区的上方，并设置于该底部多孔介电层与该顶部多孔介电层之间；一混合区导电结构，其沿着该顶部多孔介电层、该中间多孔介电层与该底部多孔介电层设置，并设置于该基底的该混合区上；一非混合区导电结构，沿着该顶部多孔介电层与该底部多孔介电层设置，并设置于该基底的该非混合区上。该顶部多孔介电层的孔隙率大于该中间多孔介电层的孔隙率。该中间多孔介电层的孔隙率大于该底部多孔介电层的孔隙率。
主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一底部导电层，其设置于该基底中；一底部多孔介电层，其设置于该基底上；一顶部多孔介电层，其设置于该底部多孔介电层上；一中间多孔介电层，其设置于该底部多孔介电层与该顶部多孔介电层之间；及一混合区导电结构，其沿着该顶部多孔介电层、该中间多孔介电层与该底部多孔介电层设置，并设置于该第一底部导电层上；其中该顶部多孔介电层的孔隙率大于该中间多孔介电层的孔隙率；其中该中间多孔介电层的孔隙率大于该底部多孔介电层的孔隙率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有多孔层的半导体元件
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