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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明公开了一种半导体器件缺陷表征建模方法，该方法包括：对所述半导体器件缺陷进行测量表征；根据对所述半导体器件缺陷的表征，对器件缺陷进行分离；根据器件缺陷建立所述半导体器件的老化模型。其中，对缺陷的测量采用DMP方法。并且从等效能级的角度分离器件缺陷，从退化动力学的角度分离器件缺陷。在完成器件缺陷的分离后，对不同的器件缺陷进行分类，用于不同类型器件缺陷的物理建模。根据获得的器件缺陷的退化动力学和等效能级数据，基于NMP理论对这些数据进行拟合，建立器件老化模型。
主权项：1.一种半导体器件缺陷表征建模方法，其特征在于，该方法包括：S101，对所述半导体器件缺陷进行测量表征；S102，根据对所述半导体器件缺陷的表征，对器件缺陷进行分离；S103，根据器件缺陷建立所述半导体器件的老化模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 一种半导体器件缺陷表征建模及物理溯源方法
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