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申请/专利权人：芜湖映日科技股份有限公司
摘要：本发明涉及靶材技术领域，具体涉及一种高电子迁移率IGTO掺杂靶材的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：先将氧化物粉末球磨得到混合浆料，再将混合浆料造粒得到，最后通过成型和烧结得到高电子迁移率IGTO掺杂靶材；所述氧化物粉末按重量百分比包括：氧化镓粉末1.5%‑3%、氧化锡粉末0.7%‑1.2%、硅掺杂氧化铁粉末0.4%‑0.6%和氧化铟粉末余量。本发明制备的IGTO掺杂靶材具有高的相对密度和低的电阻率，采用其制备的薄膜晶体管具有高迁移率和稳定性。
主权项：1.一种高电子迁移率IGTO掺杂靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：先将氧化物粉末球磨得到混合浆料，再将混合浆料进行喷雾造粒，得到混合粉末，最后通过成型和烧结得到高电子迁移率IGTO掺杂靶材；所述氧化物粉末按重量百分比包括：氧化镓粉末1.5%-3%、氧化锡粉末0.7%-1.2%、硅掺杂氧化铁粉末0.4%-0.6%和氧化铟粉末余量；所述硅掺杂氧化铁粉末的制备方法如下：将九水合硝酸铁加入去离子水中，搅拌溶解，然后使用硝酸溶液调节pH到2-3，再滴加硅酸钠溶液，滴加完毕后，使用氢氧化钠溶液调节pH到12-13，于室温下静置60min，再升温到70℃，静置12h，纯化，干燥，再于氧气气氛下，360-380℃煅烧2.5-3.5h，球磨，得到比表面积为5-8m2g的硅掺杂氧化铁粉末；所述九水合硝酸铁和硅酸钠的摩尔比为1:0.2-0.4。
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