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申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构及溶液污染的评价方法。该半导体结构包括：衬底；至少一个套环结构，设置于所述衬底上；其中，所述套环结构包括多个介质环，各所述介质环依次环环相套，且相互间隔设置；所述套环结构中，沿所述套环结构最外侧至所述套环结构中心的方向各所述介质环的宽度逐渐增大，且最外侧的所述介质环的宽度不小于目标器件的设计尺寸。这样，可以在该半导体结构上通过试验获取目标溶液中小于过滤尺寸的颗粒在半导体制备工艺中产生的缺陷数，从而便于工艺人员获取半导体制备工艺对目标溶液中小于过滤尺寸的颗粒的敏感度。
主权项：1.一种半导体结构，用于评价溶液污染，其特征在于，包括：衬底；至少一个套环结构，设置于所述衬底上；其中，所述套环结构包括多个介质环，各所述介质环依次环环相套，且相互间隔设置；所述套环结构中，沿所述套环结构最外侧至所述套环结构中心的方向各所述介质环的宽度逐渐增大，且最外侧的所述介质环的宽度不小于目标器件的设计尺寸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 半导体结构及溶液污染的评价方法
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