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MEMS压电谐振器的频率调整方法 

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申请/专利权人:麦斯塔微电子(深圳)有限公司

摘要:本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器的频率调整方法,该MEMS压电谐振器的频率调整方法包括提供一半导体结构,半导体结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、绝缘层、器件层、电极层、压电层和频率调整层;在半导体结构的表面形成图案化的第一掩膜层,第一掩膜层具有暴露频率调整层的第一区域的第一蚀刻窗;通过第一蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻,以调整频率;去除第一掩膜层;在半导体结构的表面形成图案化的第二掩膜层,第二掩膜层具有暴露频率调整层的第二区域的第二蚀刻窗;通过第二蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻,以调整频率温度系数。本方案可以通避免调频导致的TCF劣化。

主权项:1.一种MEMS压电谐振器的频率调整方法,其特征在于,包括:提供一半导体结构,所述半导体结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、绝缘层、器件层、电极层、压电层和频率调整层;在所述半导体结构的表面形成图案化的第一掩膜层,所述第一掩膜层具有暴露所述频率调整层的第一区域的第一蚀刻窗;通过所述第一蚀刻窗对所述频率调整层进行蚀刻,以调整频率;去除所述第一掩膜层;在所述半导体结构的表面形成图案化的第二掩膜层,所述第二掩膜层具有暴露所述频率调整层的第二区域的第二蚀刻窗;通过所述第二蚀刻窗对所述频率调整层进行蚀刻,以调整频率温度系数。

全文数据:

权利要求:

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